MFIs相关论文
Retention loss in the ferroelectric (SrBi2Ta2O9) - insulator (HfO2) - silicon structure studied by p
The studies on the domain evolution of MFIS or MFS structure in the retention process can be very helpful to investigate......
该文研究了非破坏性读出(NDRO)铁电存储器(FeRAM)存储单元MFIS/MFMIS的制备,特性及建模.●该文采用物理和数学分析相结合的方法,构......
制备ＭＦＩＳ存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的ＳＢＴ铁电薄膜，介质层一般选用ＺｒＯ２作为阻挡层，以克服电荷注入效应，改进器件的性能。在ＭＦＩＳ研制中，ＳＢＴ薄膜......
分析了MFIS FET的工作机理以及影响MFIS电容的存储窗口特性的因素,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口......
Metal-ferroelectric-insulator-silicon(MFIS) capacitors with Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT) ferroelectric thin film were simulat......
利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C-V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构......
该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电......
研究了运用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法制备的Ａｕ／ＰＺＴ（铅锆钛）／ＺｒＯ２／Ｓｉ结构电容即ＭＦＩＳ（Ｍｅｔ－ａｌ／Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）电容的方法，并对其进行了ＳＥＭ、Ｃ－Ｖ特性测试及ＺｒＯ２介质层介电常数分析。研究了Ｃ－Ｖ存储窗口（Ｍｅｍｏｒｙ Ｗｉｎｄｏｗ）电压与铁电薄膜......
将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中，制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET，研究......
采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分......
考虑历史电场效应,将描述铁电层矫顽电场分布的Preisach模型引入MFIS结构,和传统的MOS结构器件电荷薄片模型结合,对MFIS结构的C-V......
目前,中国经济发展速度与环境保护进展不相协调,"十二五规划"支持绿色产业的发展,鼓励环境保护与扶贫协调发展.绿色小额信贷兼具扶......
